| 基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究 |
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| 引用本文： | 刘杰,郝跃,冯倩,王冲,张进城,郭亮良.基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究[J].物理学报,2007,56(6). |
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| 作者姓名： | 刘杰 郝跃 冯倩 王冲 张进城 郭亮良 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);陕西省西安市科技计划 |
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| 摘 要： | 基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温,I-V测试和C-V测试,采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明,肖特基接触的电流输运机理非常复杂,在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触,I-V特性方程进行了修正,得到了很好的拟合曲线.试验表明,高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值.
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| 关 键 词： | 氮化镓 肖特基二极管 表面势垒减薄模型 热电子场发射 |
Characterization of Ni/Au GaN Schottky contact base on I-V-T and C-V-T measurements |
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| Liu Jie,Hao Yue,Feng Qian,Wang Chong,Zhang Jin-Cheng,Guo Hang-Hang.Characterization of Ni/Au GaN Schottky contact base on I-V-T and C-V-T measurements[J].Acta Physica Sinica,2007,56(6). |
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| Authors: | Liu Jie Hao Yue Feng Qian Wang Chong Zhang Jin-Cheng Guo Hang-Hang |
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