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金属薄膜电迁移1/f噪声与1/f2噪声统一模型
引用本文:杜磊,庄奕琪,薛丽君.金属薄膜电迁移1/f噪声与1/f2噪声统一模型[J].物理学报,2002,51(12):2836-2841.
作者姓名:杜磊  庄奕琪  薛丽君
作者单位:西安电子科技大学,西安710071
摘    要:应用晶粒边界自由体积的概念建立了能够统一描述金属薄膜1f噪声与1f2噪声的模型.该模型表明,结构完整的多晶金属薄膜产生的电噪声为1f噪声,当金属薄膜受到电迁移损伤而形成空洞时就会引入1f2噪声的成分.在电迁移应力实验中,观察到金属薄膜1fγ噪声在空洞成核前γ约为10,一旦发生空洞成核,即突增至16以上,这一规律与本模型的预测相符合 关键词: 金属薄膜 1fγ噪声 电迁移 自由体积

关 键 词:金属薄膜  1fγ噪声  电迁移  自由体积
文章编号:1000-3290/2002/51(12)2836-06
修稿时间:2002年2月20日

A unified model for 1/f noise and 1/f2 noise due to electromigration in metal film
Du Lei,Zhuang Yi-Qi and Xue Li-Jun.A unified model for 1/f noise and 1/f2 noise due to electromigration in metal film[J].Acta Physica Sinica,2002,51(12):2836-2841.
Authors:Du Lei  Zhuang Yi-Qi and Xue Li-Jun
Abstract:Basedontheconceptoffreevolumeingrainboundary ,aunifiedmodelfor1 fnoiseand 1 f2 noiseinmetalfilmispro posed.Itisshownfromthemodelthatthenoiseinthemetalfilmwithperfectpolycrystallinestructureappearstobe 1 ftype,while 1 f2 componentisintroducedwhenthefilmissubjectedtoacertaineletromigrationstressandthevoidsthusinduced.Itisobservedintheelectromigrationstresstestconductedbypresentauthorsthatγis1 0orsoforthemeasured 1 fγ noiseinthemetalfilmintheinitialstagesofthetest,butγabruptlyincreasedtoover1 6assoonasthevoidsareformed .Thisagreeswiththepredictionofthedevelopedmodel.
Keywords:
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