| 质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究 |
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| 引用本文： | 陈贵宾,李志锋,蔡炜颖,何力,胡晓宁,陆卫,沈学础.质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究[J].物理学报,2003,52(6):1496-1499. |
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| 作者姓名： | 陈贵宾 李志锋 蔡炜颖 何力 胡晓宁 陆卫 沈学础 |
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| 作者单位： | (1)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 200083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 200083;中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放研究实验室，上海 200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：10074068， 60244002)和国家重点基础研究项目(批准号：G199 8061404)资助的课题. |
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| 摘 要： | 基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元(5 00μm×500μm)的n-on-p结构的p-n结，并对相应的p-n结的电流-电压（I-V）特性进行 了研究.质子注入剂量为2×1015cm-2时R0A达312.5Ω ·cm2，低温热处理后达490Ω·cm2.
关键词：
I-V特性
碲镉汞薄膜
质子注入
p-n结
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| 关 键 词： | I-V特性 碲镉汞薄膜 质子注入 p-n结 |
| 文章编号： | 1000-3290/2003/52(06)/1496-04 |
| 收稿时间： | 7/9/2002 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 2002年7月9日 |
Study of the current-voltage characteristics of n-on-p junction fabricated by pr oton-implanted molecular beam epitaxial Hg1-xCdxTe |
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| Chen Gui-Bin,Li Zhi-Feng,Cai Wei-Ying,He Li,Hu Xiao-Ning,Lu Wei and Shen Xue-Chu.Study of the current-voltage characteristics of n-on-p junction fabricated by pr oton-implanted molecular beam epitaxial Hg1-xCdxTe[J].Acta Physica Sinica,2003,52(6):1496-1499. |
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| Authors: | Chen Gui-Bin Li Zhi-Feng Cai Wei-Ying He Li Hu Xiao-Ning Lu Wei and Shen Xue-Chu |
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| Abstract: | Large area n-on-p structures of p-n junction with different proton implantation doses are fabricated on the moleculer beam epitaxial grown HgCdTe films for mid-infrared wavelength region. Current-voltage characteristics of the p-n junction are measured at 77K. The zero-bias resistance-area product (R0A ) of 312.5Ω·cm2 is obtained when the proton implantation dose is 2×10 15cm-2， and R0A increases to 490Ω·cm2 after ann ealing at low temperatures. |
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| Keywords: | current-voltage characteristic HgCdTe film proton implantation p- n junction |
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