| 用紫外光电子能谱研究a-Si1-xCx:H的价带特性 |
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| 引用本文： | 张仿清,徐希翔,陈光华,蒋致诚,陈正石,齐尚奎.用紫外光电子能谱研究a-Si1-xCx:H的价带特性[J].物理学报,1986,35(9):1253-1258. |
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| 作者姓名： | 张仿清 徐希翔 陈光华 蒋致诚 陈正石 齐尚奎 |
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| 作者单位： | (1)兰州大学物理系; (2)中国科学院兰州化学物理研究所 |
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| 摘 要： | 用UPS技术获得了GDa-Si1-xCx:H合金薄膜的价带谱,分析了掺杂和表面氧化对价带谱的影响,并结合XPS,AES等电子能谱测试手段,对这种材料的价电子分布和键合特性作了初步的研究。
关键词：
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| 收稿时间： | 1986-03-10 |
STUDY OF VALENCE-BAND PROPERTIES IN a-Si1-xCx:H BY UV PHOTO-ELECTRON SPECTROSOPY |
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| Zhang Fang-qing,Xu Xi-xiang,Chen Guang-hu,Jiang Zhi-chen,Chen Zhen-shi and Qi Shang-kui.STUDY OF VALENCE-BAND PROPERTIES IN a-Si1-xCx:H BY UV PHOTO-ELECTRON SPECTROSOPY[J].Acta Physica Sinica,1986,35(9):1253-1258. |
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| Authors: | Zhang Fang-qing Xu Xi-xiang Chen Guang-hu Jiang Zhi-chen Chen Zhen-shi and Qi Shang-kui |
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| Abstract: | We studied the valence-band (VB) spectra of hydfogenated amorphous silieon-earbon alloy film (a-Si C:H:) by means of UPS technique and analysed the influence of doping and surface oxidation on VB spectra. Accompanied with XPS and AES analysis, we preliminarily investigated the distribution and bonding property of valence electrons in the alloy films. |
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