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ZnO纳米线二极管发光器件制备及特性研究
引用本文:王艳新,张琦锋,孙晖,常艳玲,吴锦雷.ZnO纳米线二极管发光器件制备及特性研究[J].物理学报,2008,57(2):1141-1144.
作者姓名:王艳新  张琦锋  孙晖  常艳玲  吴锦雷
作者单位:纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京大学信息科学技术学院,北京 100871
基金项目:国家重点基础研究发展规划(973)项目(批准号:2001CB610503),国家自然科学基金(批准号:60471007, 50672002)和北京市自然科学基金(批准号:4042017)资助的课题.
摘    要:运用液相法生长成ZnO纳米线薄膜,并利用肖特基型异质结的发光原理,构造成功肖特基型ZnO纳米线二极管发光器件.在大于6V直流电压驱动下,观察到近紫外波段392nm处和可见光波段525nm的发射谱带.从单向导电特性及ZnO纳米线材料的能带结构等方面探讨了该种器件的电致发光机理. 关键词: ZnO纳米线 肖特基二极管 电致发光

关 键 词:ZnO纳米线  肖特基二极管  电致发光
文章编号:1000-3290/2008/57(02)/1141-04
收稿时间:2007-02-23
修稿时间:2007-03-28

Fabrication of ZnO nanowire-based diodes and their light-emitting properties
Wang Yan-Xin,Zhang Qi-Feng,Sun Hui,Chang Yan-Ling,Wu Jin-Lei.Fabrication of ZnO nanowire-based diodes and their light-emitting properties[J].Acta Physica Sinica,2008,57(2):1141-1144.
Authors:Wang Yan-Xin  Zhang Qi-Feng  Sun Hui  Chang Yan-Ling  Wu Jin-Lei
Abstract:A Schottky type light-emitting diode of ZnO nanowire was fabricated based on the principle of luminescence of Schottky barrier heterojunction. Driven by a voltage of above 6 V, an EL spectrum was obtained. The spectrum consisted of two peaks: one is centered at a wavelength of the ultraviolet 392nm, and the other at the visible 525nm. The mechanism of electroluminescence of this device was analyzed according to the rectifying I-V curve and the energy band structure.
Keywords:ZnO nanowire  Schottky type diode  electroluminescence
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