| GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析 |
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| 引用本文： | 李娜,袁先漳,李宁,陆卫,李志峰,窦红飞,沈学础,金莉,李宏伟,周均铭,黄绮.GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析[J].物理学报,2000,49(4):797-801. |
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| 作者姓名： | 李娜 袁先漳 李宁 陆卫 李志峰 窦红飞 沈学础 金莉 李宏伟 周均铭 黄绮 |
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| 作者单位： | (1)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083; (2)中国科学院物理研究所,北京100080 |
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| 基金项目： | 973项目!《光电功能晶体结构性能、分子设计、微结构设计与制备过程的研究》资助的课题&& |
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| 摘 要： | 通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱(PL)与计算结果进行比较.说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系.欲使量子阱红外探测器的响应峰值在8μm附近,则需量子阱结构中阱宽为47nm,垒中Al含量为029.理论计算与测试结果符合得较好.
关键词：
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| 关 键 词： | 砷化镓 能级结构 光谱 量子阱 红外探测器 |
| 收稿时间： | 1999-06-28 |
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