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Al和N共掺p型Zn1-xMgxO电子结构的第一性原理计算
引用本文:刘强,程新路,杨向东,范勇恒.Al和N共掺p型Zn1-xMgxO电子结构的第一性原理计算[J].物理学报,2009,58(4).
作者姓名:刘强  程新路  杨向东  范勇恒
作者单位:1. 四川大学原子与分子物理研究所,成都,610065;重庆工学院数理学院,重庆,400054
2. 四川大学原子与分子物理研究所,成都,610065
3. 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳,621900
摘    要:采用密度泛函理论下的第一性原理平面波超软赝势方法,对Zn1-xMgxO超晶胞和掺杂Al,N后的Zn1-xMgxO超晶胞分别进行了优化计算.结合广义梯度近似计算了Al和N共掺杂后Zn1-xMgxO的能带结构、电子态密度和Mulliken电荷布居分布.计算表明:掺入N原子的2p态电子为Zn1-xMgxO价带顶提供空穴载流子,使Zn1-xMgxO价带顶向高能方向移动;掺入Al原子的3p态电子则与N原子的2p态电子在费米能级附近发生轨道杂化,使费米能级处价带能级展宽,Al和N共掺杂可获得p型Zn1-xMgxO.

关 键 词:密度泛函理论  电子结构  共掺杂

First-principles calculation of p-Zn1-xMgxO electronic structure by doping with Al and N
Liu Qiang,Cheng Xin-Lu,Yang Xiang-Dong,Fan Yong-Heng.First-principles calculation of p-Zn1-xMgxO electronic structure by doping with Al and N[J].Acta Physica Sinica,2009,58(4).
Authors:Liu Qiang  Cheng Xin-Lu  Yang Xiang-Dong  Fan Yong-Heng
Abstract:
Keywords:Zn1-xMgxO
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