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H在Al(111)面上吸附的多重散射X_α自洽计算
引用本文:田曾举,黄绮,张开明.H在Al(111)面上吸附的多重散射X_α自洽计算[J].物理学报,1985(4).
作者姓名:田曾举  黄绮  张开明
作者单位:复旦大学现代物理研究所 (田曾举),中国科学院物理研究所 (黄绮),复旦大学现代物理研究所(张开明)
摘    要:利用多重散射X_α自洽场方法研究了H在Al(111)表面吸附的桥位和顶位模型。结果表明顶位吸附的结合能优于桥位。顶位吸附中H的1s电子与Al相互作用形成不同形式的σ键,本文分析了这些成键细节,并给出了顶位吸附的态密度。

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