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微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法沉积氟化非晶碳薄膜的研究
引用本文:叶超,宁兆元,程珊华,康健.微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法沉积氟化非晶碳薄膜的研究[J].物理学报,2001,50(4):784-789.
作者姓名:叶超  宁兆元  程珊华  康健
作者单位:苏州大学物理系,苏州215006
摘    要:使用三氟甲烷和苯的混合气体,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备了F/C比在0.11—0.62之间的α-C∶F薄膜.研究了微波功率对薄膜沉积和结构的影响,发现微波功率的升高提高了薄膜的沉积速率,降低了薄膜的F/C比,也降低了薄膜中CF和CF3基团的密度,而使CF2基团的密度保持不变.在高微波功率下可以获得主要由CF2基团和C=C结构组成的α-C∶F薄膜.薄膜的介电频率关系(1×103—1×106Hz)和损耗频率关系(1×102—1×105Hz)均呈指数规律减小,是缺陷中心间简单隧穿引起的跳跃导电所致.α-C∶F薄膜的介电极化主要来源于电子极化 关键词: 氟化非晶碳薄膜 ECR等离子体沉积 键结构 介电性质

关 键 词:氟化非晶碳薄膜  ECR等离子体沉积  键结构  介电性质
收稿时间:2000-10-24
修稿时间:2000年10月24

STUDY ON
Ye Chao,NING Zhao-yuan,Cheng Shan-Hua,KANG JIAN.STUDY ON[J].Acta Physica Sinica,2001,50(4):784-789.
Authors:Ye Chao  NING Zhao-yuan  Cheng Shan-Hua  KANG JIAN
Abstract:Amorphous fluorinated carbon (α-C∶F) films with F/C ratios between 0.11 and 0.62 are prepared by microwave electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition using trifluoromethane (CHF3) and benzene (C6H6) as source gases.The effect of microwave input powers on the deposition rates,F/C ratios and the bond configurations of films is analyzed by film thickness measured, Fourier transform infrared and X-ray photoelectron spectroscopy analysis.The increase of microwave power results in the increase of deposition rate,the decrease of F/C ratios,and the abundance of CF and CF3 groups of the films.The abundance of CF2 groups almost does not vary as microwave power increases.The films are mainly composed of CF2 groups and CC bonds can be obtained at higher microwave power.The frequency dependence of ε(1×103—1×106Hz) and tanδ(1×102—1×105Hz)all follow a power law.The electron polarization is the main contributor to dielectric polarization of film.
Keywords:C∶F films  ECR plasma deposition  bond configurations  dielectric properties
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