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用SiCl4/H2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究
引用本文:祝祖送,林璇英,余云鹏,林揆训,邱桂明,黄锐,余楚迎.用SiCl4/H2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究[J].物理学报,2005,54(8).
作者姓名:祝祖送  林璇英  余云鹏  林揆训  邱桂明  黄锐  余楚迎
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:对以SiH4/H2及SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜进行了光照稳定性的研究.实验表明,制备的多晶硅薄膜并没有出现非晶硅中的光致衰减现象,其光电导、暗电导在光照过程中没有下降反而有所上升且电导率变化快慢受氢稀释度的制约.多晶硅薄膜的光照稳定性可能来源于高的晶化度及Cl元素的存在.

关 键 词:多晶硅薄膜  稳恒光电导效应  晶界  光致衰退效应

The light-stability of polycrystalline silicon films deposited at low temperatures from SiCI4/H2 mixture
Zhu Zu-Song,LIN Xuan-Ying,YU Yun-Peng,LIN Kui-Xun,Qiu Gui-Ming,Huang Rui,YU Chu-Ying.The light-stability of polycrystalline silicon films deposited at low temperatures from SiCI4/H2 mixture[J].Acta Physica Sinica,2005,54(8).
Authors:Zhu Zu-Song  LIN Xuan-Ying  YU Yun-Peng  LIN Kui-Xun  Qiu Gui-Ming  Huang Rui  YU Chu-Ying
Abstract:
Keywords:
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