| Mg掺杂ZnO所致的禁带宽度增大现象研究 |
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| 引用本文： | 靳锡联,娄世云,孔德国,李蕴才,杜祖亮.Mg掺杂ZnO所致的禁带宽度增大现象研究[J].物理学报,2006,55(9):4809-4815. |
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| 作者姓名： | 靳锡联 娄世云 孔德国 李蕴才 杜祖亮 |
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| 作者单位： | 河南大学特种功能材料重点实验室，开封 475001 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家教育部新世纪优秀人才计划资助的项目 |
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| 摘 要： | 采用第一性原理的超软赝势方法，研究了纤锌矿ZnO及不同量Mg掺杂ZnO合金的电子结构.理论计算表明，Mg的掺杂导致ZnO晶体的禁带宽度增大.研究发现，Zn 4s态决定导带底的位置，Mg的掺入导致Zn 4s态向高能端的偏移是导致禁带宽度增大的根本原因.
关键词：
密度泛函理论
赝势
Mg掺杂ZnO
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| 关 键 词： | 密度泛函理论 赝势 Mg掺杂ZnO |
| 文章编号： | 1000-3290/2006/55(09)/4809-07 |
| 收稿时间： | 1/4/2006 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 2006-01-042006-03-27 |
Investigation on the broadening of band gap of wurtzite ZnO by Mg-doping |
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| Jin Xi-Lian,Lou Shi-Yun,Kong De-Guo,Li Yun-Cai,Du Zu-Liang.Investigation on the broadening of band gap of wurtzite ZnO by Mg-doping[J].Acta Physica Sinica,2006,55(9):4809-4815. |
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| Authors: | Jin Xi-Lian Lou Shi-Yun Kong De-Guo Li Yun-Cai Du Zu-Liang |
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| Institution: | Laboratory for Special Functional Materials, Henan University, Kaifeng 475001, China |
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| Abstract: | The electronic structure of pure and Mg-doped wurtzite ZnO has been investigated by using first-principles ultrasoft pseudopotential method in the generalized gradient approximation. The calculation indicates that the band gap of ZnO broadens with increasing Mg-doping concentrations. Our work shows that the bottom of conduction band is determined by the Zn 4s electron states which can shift to a higher energy due to Mg-doping. |
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| Keywords: | density functional theory pseudopotential methods Mg-doped wurtzite ZnO |
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