| 微晶硅n-i-p太阳电池中n型掺杂层对本征层结构特性的影响 |
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| 引用本文： | 袁育杰,侯国付,薛俊明,韩晓艳,刘云周,杨兴云,刘丽杰,董培,赵颖,耿新华.微晶硅n-i-p太阳电池中n型掺杂层对本征层结构特性的影响[J].物理学报,2008,57(6):3892-3897. |
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| 作者姓名： | 袁育杰 侯国付 薛俊明 韩晓艳 刘云周 杨兴云 刘丽杰 董培 赵颖 耿新华 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，光电信息技术科学教育部重点实验室，光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号：2006CB202602，2006CB202603 )资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用高压射频等离子体增强化学气相沉积方法在非晶和微晶两种n型硅薄膜衬底上沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜，研究了不同n型硅薄膜对本征微晶硅薄膜的表面形貌、晶化率和结晶取向等结构特性的影响.结果表明，本征微晶硅薄膜结构对n型掺杂层具有强烈的依赖作用，微晶n型掺杂层能够有效减少n/i界面非晶孵化层的厚度，改善本征微晶硅薄膜的纵向均匀性，进而提高微晶硅n-i-p太阳电池性能.
关键词：
孵化层
微晶硅薄膜
纵向均匀性
n-i-p太阳电池
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| 关 键 词： | 孵化层 微晶硅薄膜 纵向均匀性 n-i-p太阳电池 |
| 收稿时间： | 7/4/2007 12:00:00 AM |
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