| 硒化前后电沉积贫铜和富铜的Cu(In1-xGax)Se2薄膜成分及结构的比较 |
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| 引用本文： | 敖建平,杨亮,闫礼,孙国忠,何青,周志强,孙云.硒化前后电沉积贫铜和富铜的Cu(In1-xGax)Se2薄膜成分及结构的比较[J].物理学报,2009,58(3). |
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| 作者姓名： | 敖建平 杨亮 闫礼 孙国忠 何青 周志强 孙云 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 采用电沉积法获得了接近化学计量比的贫铜和富铜的Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)预置层,研究比较了两种预置层及其硒化处理后的成分和结构特性.得到了明确的实验证据证明,硒化后富铜薄膜中的CuxSe相会聚集凝结成结晶颗粒分散在表面.研究表明:在固态源硒化处理后,薄膜成分基本不变;当预置层中原子比Cu/(In+Ga)<1.1时,硒化后薄膜表面存在大量的裂纹;而当Cu/(In+Ga) >1.2时,可以消除裂纹的产生,形成等轴状小晶粒;富铜预置层硒化时蒸发沉积少量In,Ga和Se后,电池效率已达到6.8%;而贫铜预置层硒化后直接制备的电池效率大于2%,值得进一步深入研究.
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| 关 键 词： | Cu(In1-xGax)Se2薄膜 电沉积 硒化处理 贫铜或富铜薄膜 |
Comparison of the compositions and structures of electrodeposited Cu-poor and Cu-rich Cu(In1-xGax)Se2 films before and after selenization |
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| Ao Jian-Ping,Yang Liang,Yan Li,Sun Guo-Zhong,He Qing,Zhou Zhi-Qiang,Sun Yun.Comparison of the compositions and structures of electrodeposited Cu-poor and Cu-rich Cu(In1-xGax)Se2 films before and after selenization[J].Acta Physica Sinica,2009,58(3). |
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| Authors: | Ao Jian-Ping Yang Liang Yan Li Sun Guo-Zhong He Qing Zhou Zhi-Qiang Sun Yun |
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