| Y掺杂SrTiO3晶体材料的电子结构计算 |
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| 引用本文： | 徐新发,邵晓红.Y掺杂SrTiO3晶体材料的电子结构计算[J].物理学报,2009,58(3). |
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| 作者姓名： | 徐新发 邵晓红 |
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| 作者单位： | 北京化工大学理学院,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，化工资源有效利用国家重点实验室基金的课题 |
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| 摘 要： | 采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法, 研究了Y掺杂SrTiO3体系的空间结构和电子结构性质, 得到了优化后体系的结构参数, 掺杂形成能, 能带结构和电子态密度. 对比掺杂浓度为0.125, 0.25, 0.33时,Sr1-xYxTiO3和SrTi1-xYxO3的掺杂形成能,发现Y替代Sr能形成更稳定的结构. 对Sr1-xYxTiO3(x=0, 0.125, 0.25, 0.33) 的结构进行了优化,结果表明Y替代Sr后, 随着掺杂浓度增大, 体系的晶格常数逐渐减小, 稳定性逐渐增强. 对不同掺杂浓度的Sr1-xYxTiO3能带结构的计算结果表明:纯净的SrTiO3是绝缘体, 价带顶在R点, 导带底在Γ点, 费米能级处于价带顶; 掺杂Y后, 费米能级进入到导带底中, 体系呈金属性;掺杂浓度越大,费米能级进入导带的位置越深,禁带宽度也近似变宽.
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| 关 键 词： | 电子结构 掺杂 |
Calculation of the electronic structure of Y-doped SrTiO3 |
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| Xu Xin-Fa,Shao Xiao-Hong.Calculation of the electronic structure of Y-doped SrTiO3[J].Acta Physica Sinica,2009,58(3). |
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| Authors: | Xu Xin-Fa Shao Xiao-Hong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SrTiO3 VASP |
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