| Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的X射线小角衍射分析 |
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| 引用本文： | 周国良,沈孝良,盛篪,蒋维栋,俞鸣人.Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的X射线小角衍射分析[J].物理学报,1991(1). |
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| 作者姓名： | 周国良 沈孝良 盛篪 蒋维栋 俞鸣人 |
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| 作者单位： | 复旦大学表面物理实验室，复旦大学分析测试中心，复旦大学表面物理实验室，复旦大学表面物理实验室，复旦大学表面物理实验室 上海，200433，上海，200433，上海，200433，上海，200433 |
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| 摘 要： | 用分子束外延生长了23周期的Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格,用计算机控制的衍射仪(Cu K_α辐射)测量了X射线衍射曲线,共观察到13级超晶格结构的衍射峰。超晶格的周期和Ge平均含量可以根据考虑折射修正的布喇格定律得出。用光学多层膜反射理论分析衍射曲线可以确定超晶格的结构参数,第2级衍射峰与第一级峰的强度比对应于超晶格两种材料的相对厚度变化非常灵敏,通过比较实验和计算的I_2/I-1值,可以确定Si,Ge_xSi_(1-x)层的厚度以及合金组份x。用光学多层膜反射理谁计算得到的衍射曲线与实验曲线趋于一致。
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