| 掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中带电激子的磁场效应 |
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| 引用本文： | 冀子武,三野弘文,音贤一,室清文,秋本良一,嶽山正二郎.掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中带电激子的磁场效应[J].物理学报,2008,57(10):6609-6613. |
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| 作者姓名： | 冀子武 三野弘文 音贤一 室清文 秋本良一 嶽山正二郎 |
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| 作者单位： | (1)产业技术综合研究所超高速光学器件研究实验室，茨城 305-8568; (2)东京大学物性研究所,柏 277-8581; (3)千叶大学大学院理学部，千叶 263-8522; (4)山东大学物理学院，济南 250100；东京大学物性研究所,柏 277-8581 |
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| 摘 要： | 报道了n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在极低温 (5—10 K)条件下的各种光学性质. 磁场中(Farada配置)ZnSe层的反射光谱展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征. 对于空间间接光致发光(spacially indirect PL)光谱，它的主发光峰显示了一个反玻尔兹曼分布的非对称性，并且在磁场中(Voigt配置)它的峰值能量随磁场的增加而降低. 这些实验结果显示了该掺杂样品的空间间接PL是来自Ⅱ型QW结构所特有的带电激子的跃迁.
关键词：
光致发光
二维电子气
带电激子
Ⅱ型量子阱
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| 关 键 词： | 光致发光 二维电子气 带电激子 Ⅱ型量子阱 |
| 收稿时间： | 2007-12-16 |
| 修稿时间： | 1/4/2008 12:00:00 AM |
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