| ReSi1.75电子结构的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 邱安宁,张澜庭,吴建生.ReSi1.75电子结构的第一性原理研究[J].物理学报,2007,56(8). |
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| 作者姓名： | 邱安宁 张澜庭 吴建生 |
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| 基金项目： | 上海市浦江人才计划;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 基于第一性原理全势线性缀加平面波方法和局域密度近似(LDA),对ReSi1.75的基态晶格属性进行了研究.结构优化的结果表明,ReSi1.75的基态平衡晶格常数比实验值小约0.6%.在LDA计算基础上,考虑局域的Re的d电子库仑作用,用LDA+U方法计算了ReSi1.75的电子结构,发现当Ueff=U-J=4.4 eV时,能带结构呈半导体性质.具有0.12 ev的间接能隙和0.36 ev的直接能隙.有效质量计算结果表明,ReSi1.75晶体具有强烈的各向异性.Resi1.75的态密度在费米能级附近变化剧烈,通过掺杂改变材料的费米能级位置,有望提高材料的热电性能.
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| 关 键 词： | 局域密度近似 自相互修正作用 电子结构 |
First principles study of the electronic structure of ReSi1.75 |
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| Qiu An-Ning,Zhang Lan-Ting,Wu Jian-Sheng.First principles study of the electronic structure of ReSi1.75[J].Acta Physica Sinica,2007,56(8). |
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| Authors: | Qiu An-Ning Zhang Lan-Ting Wu Jian-Sheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ReSi1 75 |
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