| 利用InAs/GaAs数字合金超晶格改进InAs量子点有源区的结构设计 |
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| 引用本文： | 杜安天,刘若涛,曹春芳,韩实现,王海龙,龚谦.利用InAs/GaAs数字合金超晶格改进InAs量子点有源区的结构设计[J].物理学报,2023(12):285-291. |
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| 作者姓名： | 杜安天 刘若涛 曹春芳 韩实现 王海龙 龚谦 |
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| 作者单位： | 1. 曲阜师范大学物理工程学院,山东省激光偏光与信息技术重点实验室;2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中科院太赫兹固态技术重点实验室;3. 中国科学院大学材料科学与光电子工程中心 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:61674096)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 利用分子束外延技术,通过InAs/GaAs数字合金超晶格代替传统的直接生长InGaAs层的方式,在GaAs(100)衬底上生长了InAs量子点结构并成功制备了1.3μm InAs量子点激光器.通过原子力显微镜和光致荧光谱测试手段,对传统生长模式和数字合金超晶格生长模式的两种样品进行了表征,研究发现采用32周期InAs/GaAs数字合金超晶格样品的量子点密度非常高,发光性能良好.通过与常规生长方式所制备激光器的性能对比,发现采用InAs/GaAs数字合金超晶格生长InAs量子点的有源区也可以得到高质量的激光器.利用该方式生长的InAs量子点激光器的阈值电流为24 mA,相应的阈值电流密度仅为75 A/cm2,最高工作温度达到120℃.InAs/GaAs数字合金超晶格既可以保证生长过程中源炉的温度保持不变,还可以对InGaAs层的组分实现灵活调控.不需要改变生长速度,通过改变InAs/GaAs数字合金超晶格的周期数以及InAs层和GaAs层的厚度,便可以获得任意组分的InGaAs,从而得到不同发光波长的激光器.这种生长方式对量子点有源区的结构设计和外延生长提供了新思路.
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| 关 键 词： | 量子点 半导体激光器 分子束外延 数字合金超晶格 |
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