| 第一性原理研究单层Ge2X4S2(X=P,As)的热电性能 |
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| 引用本文： | 余跃,杨恒玉,周五星,欧阳滔,谢国锋.第一性原理研究单层Ge2X4S2(X=P,As)的热电性能[J].物理学报,2023(7):353-363. |
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| 作者姓名： | 余跃 杨恒玉 周五星 欧阳滔 谢国锋 |
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| 作者单位： | 1. 湖南科技大学材料科学与工程学院新能源储存与转换先进材料湖南省重点实验室;2. 湘潭大学物理与光电工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:11874145)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 单层Ge2X4S2(X=P, As)是最近预测的一种二维层状材料,它们不仅拥有高的光吸收系数,同时还有较高的载流子迁移率,这意味着它们在光电和热电领域可能有较好的应用前景.本文通过第一性原理和玻尔兹曼输运理论系统地研究了这两种材料的热电性质.结果表明,单层Ge2P4S2和Ge2As4S2在室温下展现较低的晶格热导率,沿armchair方向分别为3.93 W·m-1·K-1和3.19 W·m-1·K-1, zigzag方向分别为4.38 W·m-1·K-1和3.79 W·m-1·K-1,这主要是由低的声子群速度、大的格林艾森参数以及小的声子弛豫时间造成的.基于HSE06泛函计算出的能带结构表明单层Ge2
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| 关 键 词： | 热电性能 层状材料 第一性原理计算 |
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