TiO薄膜的制备及电输运性质 |
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引用本文: | 蔡文博,杨洋,李志青.TiO薄膜的制备及电输运性质[J].物理学报,2023(22):268-275. |
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作者姓名: | 蔡文博 杨洋 李志青 |
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作者单位: | 天津大学理学院,天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(批准号:12174282)资助的课题~~; |
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摘 要: | 利用磁控溅射技术,通过改变氧分压在MgO (001)单晶基片上外延生长了一系列TiO薄膜,并对薄膜的结构、价态和电输运性质进行了系统研究. X射线衍射结果表明,所制备的薄膜具有岩盐结构,沿001]晶向外延生长. X射线光电子能谱结果表明,薄膜中Ti元素主要以二价形式存在.所有样品均具有负的电阻温度系数,高氧分压下制备的薄膜表现出绝缘体的导电性质,低温下电阻与温度的关系遵从变程跳跃导电规律.低氧分压下制备的薄膜具有金属导电性质,并具有超导电性,超导转变温度最高可达3.05 K.所有样品均具有较高的载流子浓度,随着氧分压的降低,薄膜的载流子类型由电子主导转变为空穴主导.氧含量的降低可能加强了TiO中Ti—Ti键的作用,从而使低氧分压下制备的样品显现出与金属Ti相似的电输运性质,薄膜超导转变温度的提升可能与晶体结构或电子结构突变相关联.
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关 键 词: | 钛氧化物薄膜 磁控溅射 电输运性质 超导电性 |
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