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α-Al2O3(0001)表面原子缺陷对ZnO吸附影响
引用本文:杨 春,李言荣,颜其礼,刘永华.α-Al2O3(0001)表面原子缺陷对ZnO吸附影响[J].物理学报,2005,54(5):2364-2368.
作者姓名:杨 春  李言荣  颜其礼  刘永华
作者单位:四川师范大学数学与软件科学学院,成都 610068;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都 610054;四川师范大学固体物理研究所,成都 610068;中国物理工程研究院化工材料研究所,绵阳 621900
基金项目:国家重点基础研究发展规划项目(批准号:51310Z03)和四川省应用基础研究项目(批准号:0 2GY-006)、四川省教育厅重点项目(批准号:2002A086)以及四川省重点学科建设项目(批准 号:SZD0406)资助的课题.
摘    要:采用基于密度泛函理论的分子动力学方法,对α-Al2O3(0001)表面 Al,O原子空位缺陷及其对ZnO吸附进行了理论计算.电子局域函数显示了表面空位处的电子密度变化,表面Al原子空缺处有非常明显的缺电子区域,悬挂键临近O的电子密度增大,有利于对Zn的吸附;O原子空缺处的Al原子处存在孤立电子,其ELF值为005—03,将有利于同电负性较大的O或O2-结合.通过吸附动力学模拟与体系能量的计算发现,表面缺陷显著增强了表面 的化学吸附,空缺原子处都被吸附原子填补,吸附结合能远大于单晶表面的情况.在Al空缺的表面,由于ZnO的O与表面O形成双键,破坏了α-Al2O3(0001)表面O六 角对称结构,减小了 O的表面扩散,从而不利于规则的ZnO薄膜生长.相反,O的空缺表面,弥补了α-Al2O3(0001)表面O空位缺陷,不影响基片表面O六角对称结构.

关 键 词:表面缺陷,  吸附,  α-Al2O3(0001),  ZnO
文章编号:1000-3290/2005/54(05)2364-05
收稿时间:2004-07-17
修稿时间:2004年7月17日

Effects of atomic defects of
Yang Chun,Li Yan-Rong,Yan Qi-Li and Liu Yong-Hua.Effects of atomic defects of[J].Acta Physica Sinica,2005,54(5):2364-2368.
Authors:Yang Chun  Li Yan-Rong  Yan Qi-Li and Liu Yong-Hua
Abstract:
Keywords:
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