| 位移辐射效应对量子阱激光器性能的影响 |
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| 引用本文： | 马晶,车驰,韩琦琦,周彦平,谭立英.位移辐射效应对量子阱激光器性能的影响[J].物理学报,2012,61(21):275-281. |
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| 作者姓名： | 马晶 车驰 韩琦琦 周彦平 谭立英 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学可调谐激光技术国防重点实验室,哈尔滨,150001 |
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| 摘 要： | 使用加速器对量子阱半导体激光器进行了总通量1×1016cm-2的电子辐照实验.辐射实验结果表明,在辐射环境下激光器的输出功率下降、阈值电流增加.从理论上分析了位移效应对量子阱激光器的影响,并推导了电子通量与相对阈值电流变化、相对输出功率变化的函数关系式.该公式的计算结果与实验测试结果符合很好,有效地反映了电子辐照环境下激光器的性能变化趋势.该公式可用于预测激光器在辐射环境下的性能变化,有着较大实际应用价值.
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| 关 键 词： | 量子阱激光器 位移损伤 缺陷 |
Displacement damage effect on the characteristics of quantum well laser |
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| Ma Jing Che Chi Han Qi-Qi Zhou Yan-Ping Tan Li-Ying.Displacement damage effect on the characteristics of quantum well laser[J].Acta Physica Sinica,2012,61(21):275-281. |
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| Authors: | Ma Jing Che Chi Han Qi-Qi Zhou Yan-Ping Tan Li-Ying |
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| Institution: | Ma Jing Che Chi Han Qi-Qi Zhou Yan-Ping Tan Li-Ying (National Key Laboratory of Tunable Laser Technology,Harbin Institute of Technology,Harbin 150001,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quantum well lasers displacement effects defects |
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