| p-GaN/p-AlxGa1-xN异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响 |
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| 引用本文： | 王晓勇,种明,赵德刚,苏艳梅.p-GaN/p-AlxGa1-xN异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响[J].物理学报,2012,61(21):407-412. |
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| 作者姓名： | 王晓勇 种明 赵德刚 苏艳梅 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所、纳米光电子实验室,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所、集成光电子国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划( |
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| 摘 要： | 通过自洽求解一维泊松方程和薛定谔方程,得到了p-GaN/p-AlxGa1-xN异质结界面处的价带结构和二维空穴气（2DHG）分布,研究了A1组分和压电极化效应对界面处2DHG性质的影响,给出了异质界面处2DHG的面密度、浓度分布以及价带结构.实验结果表明:随着Al组分的增加,异质结界面处势阱明显加深变窄,这使得2DHG的峰值密度加速上升,也使得面空穴密度近直线上升;压电极化效应也明显使界面处势阱加深变窄,并且使费米能级向势垒顶端移动,峰值浓度的位置向界面处移动;另外,价带带阶高度和受主杂质浓度对2DHG的影响较小.利用这层2DHG制作的p-AlxGa1-xN的欧姆接触,电流电压特性明显好于直接制作的电极,说明了2DHG可以显著改善p-AlxGa1-xN的欧姆接触性能.
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| 关 键 词： | p-A1GaN 压电极化 二维空穴气 欧姆接触 |
Two-dimensional hole gas in p-GaN/p-AlxGa1-xN heterojunctions and its influence on Ohmic contact |
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| Wang Xiao-Yong,Chong Ming,Zhao De-Gang,Su Yan-Mei.Two-dimensional hole gas in p-GaN/p-AlxGa1-xN heterojunctions and its influence on Ohmic contact[J].Acta Physica Sinica,2012,61(21):407-412. |
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| Authors: | Wang Xiao-Yong Chong Ming Zhao De-Gang Su Yan-Mei |
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| Institution: | 1)) 1)(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Nano-Optoelectronics Laboratory,Beijing 100083,China) 2)(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics.Beijing 100083,China ) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | p-AlGaN piezoelectric polarization two-dimensional hole gas Ohmic contact |
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