| 快速热退火引起GaAs/AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究 |
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| 引用本文： | 徐遵图,徐俊英,杨国文,张敬明,殷 涛,赵红东,廉 鹏,陈良惠,沈光地.快速热退火引起GaAs/AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究[J].物理学报,1998,47(6):945-951. |
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| 作者姓名： | 徐遵图 徐俊英 杨国文 张敬明 殷 涛 赵红东 廉 鹏 陈良惠 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子工程系，北京 100022;中国科学院半导体研究所，国家光电子器件工程研究中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所，国家光电子器件工程研究中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所，国家光电子器件工程研究中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所，国家光电子器件工程研究中心，北京 100083;北京工业大学电子工程系，北京 100022;北京工业大学电子工程系，北京 100022;北京工业大学电子工程系，北京 100022;中国科学院半导体研究所，国家光电子器件工程研究中心，北京 100083;北京工业大学电子工程系，北京 100022 |
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| 摘 要： | 用分子束外延生长了GaAs/AlGaAs双量子阱激光器结构样品，并对不同温度快速热退火导致量子阱组分无序即阱和垒中三族元素的扩散过程进行了实验和理论研究.用光荧光技术测量退火样品的n=1量子阱能级跃迁峰值位置，结果表明退火前后样品量子阱能级位置发生蓝移，蓝移量随温度的提高而增大.对退火过程中GaAs/AlGaAs量子阱中三族元素的扩散过程进行了理论分析，并与实验结果相比较，获得了不同退火温度下铝原子的扩散系数和扩散过程的激活能.950℃，30s退火条件下，铝原子的扩散系数为6.6×10-16
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DIFFUSION OF ALUMINUM IN DOUBLE QUANTUM WELL STRUCTURE UPON RAPID THERMAL ANNEALING |
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| XU ZUN-TU,XU JUN-YING,YANG GUO-WEN,ZHANG JING-MING,YIN TAO,ZHAO HONG-DONG,LIAN PENG,CHEN LIANG-HUI and SHEN GUANG-DI.DIFFUSION OF ALUMINUM IN DOUBLE QUANTUM WELL STRUCTURE UPON RAPID THERMAL ANNEALING[J].Acta Physica Sinica,1998,47(6):945-951. |
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| Authors: | XU ZUN-TU XU JUN-YING YANG GUO-WEN ZHANG JING-MING YIN TAO ZHAO HONG-DONG LIAN PENG CHEN LIANG-HUI and SHEN GUANG-DI |
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