| 变掺杂变组分AlxGa1–xAs/GaAs反射式光电阴极分辨力特性 |
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| 引用本文： | 邓文娟,朱斌,王壮飞,彭新村,邹继军.变掺杂变组分AlxGa1–xAs/GaAs反射式光电阴极分辨力特性[J].物理学报,2022(15):271-277. |
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| 作者姓名： | 邓文娟 朱斌 王壮飞 彭新村 邹继军 |
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| 作者单位： | 1. 东华理工大学核技术应用教育部工程研究中心;2. 东华理工大学江西省新能源工艺及装备工程技术中心 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:61961001,11875012,62061001,61771245)；;江西省自然科学基金(批准号:20181BAB202026,20192ACBL20003,20202BAB202013,20203BBE53030)； |
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| 摘 要： | 根据建立的变掺杂变组分反射式AlxGa1–x As/GaAs光电阴极的分辨力模型以及调制传递函数(MTF)理论模型,仿真了材料中掺杂浓度线性变化、Al组分线性变化,掺杂浓度均匀不变、Al组分线性变化,掺杂浓度线性变化、Al组分均匀不变,掺杂浓度均匀不变、Al组分均匀不变这4种不同结构反射式光电阴极的分辨力特性.分析了Al组分、掺杂浓度、AlxGa1–x As层厚度、GaAs层厚度和入射光波长对阴极分辨力的影响.仿真结果表明,阴极材料中掺杂浓度梯度变化以及Al组分梯度变化都可以提高反射式AlxGa1–x As/GaAs光电阴极的分辨力,其中掺杂浓度线性变化的同时, Al组分线性变化对AlxGa1–x As/GaAs光电阴极分辨力的影响最为明显.仿真结果还表明:Al组分从0.45线性变化至0时,阴极分辨力最好;掺杂浓度从1019—1018 cm–3线性变化比保持1019 cm–3不变,阴极分辨力更好;而阴极中Al
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| 关 键 词： | 变掺杂变组分 调制传递函数 内建电场 分辨力 |
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