| 全耗尽绝缘体上硅氧化铪基铁电场效应晶体管存储单元单粒子效应计算机模拟研究 |
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| 引用本文： | 沈睿祥,张鸿,宋宏甲,侯鹏飞,李波,廖敏,郭红霞,王金斌,钟向丽.全耗尽绝缘体上硅氧化铪基铁电场效应晶体管存储单元单粒子效应计算机模拟研究[J].物理学报,2022(6):432-439. |
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| 作者姓名： | 沈睿祥 张鸿 宋宏甲 侯鹏飞 李波 廖敏 郭红霞 王金斌 钟向丽 |
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| 作者单位： | 1. 湘潭大学材料科学与工程学院;2. 西北核技术研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:11875229,51872251,61634008)；;湖南省自然科学基金(批准号:2021JJ30675)；;湖南省教育厅优秀青年基金(批准号:20B560)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 铁电场效应晶体管具有非挥发性、低功耗、读写速度快等优异的存储性能,是最有前景的新型半导体存储器件之一.为促进铁电场效应晶体管在辐射环境中的应用,本文利用计算机辅助设计软件对全耗尽绝缘体上硅氧化铪基铁电场效应晶体管存储单元的单粒子效应进行研究,分析了重离子不同入射位置及角度和漏极偏置电压对存储单元相关特性的影响.结果表明:重离子入射位置改变不会使氧化铪铁电层中相应的极化状态发生反向,但会影响存储单元输出电压瞬态变化,最敏感区域靠近漏-体结区域;随着重离子入射角度减小,存储单元输出电压峰值增大,读数据“0”时入射角度变化的影响更为明显;存储单元输出电压峰值受漏极偏置电压调制,读数据“1”时调制效应更为明显.本工作为全耗尽绝缘体上硅氧化铪基铁电场效应晶体管存储单元抗单粒子效应加固设计提供理论依据和指导.
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| 关 键 词： | 全耗尽绝缘体上硅 铁电场效应晶体管 单粒子效应 计算机辅助设计 |
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