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Yb2.75C60价带光电子能谱
引用本文:李宏年,何少龙,李海洋.Yb2.75C60价带光电子能谱[J].物理学报,2004,53(1).
作者姓名:李宏年  何少龙  李海洋
作者单位:浙江大学物理系,浙江大学中心实验室,杭州,310027
基金项目:国家自然科学基金,浙江省自然科学基金
摘    要:用角积分紫外光电子能谱技术测量了Yb2 75C6 0 薄膜的价带电子态密度分布 .相纯Yb2 75C6 0 样品通过C1s芯态x射线电子谱峰的位移表征 .结果表明Yb2 75C6 0 是半导体 ,在费米能级处几乎没有电子态分布 .Yb 6s电子态和C6 0 LU MO能带的杂化效应不可忽略 ,有部分Yb 6s电子分布在Yb C6 0 杂化能带上 .

关 键 词:Yb2.75C60  电子能谱  电子态密度

Valence band photoemission of Yb2.75C60
Li Hong-Nian,He Shao-Long,Li Hai-Yang.Valence band photoemission of Yb2.75C60[J].Acta Physica Sinica,2004,53(1).
Authors:Li Hong-Nian  He Shao-Long  Li Hai-Yang
Abstract:Valence-band electronic density of states of Yb 2 75 C 60 thin films was measured by the ultraviolet photoemission spectrum technique. The phase-pure Yb 2 75 C 60 sample was characterized by the C 1s XPS measurements. The result indicates Yb 2 75 C 60 has no Fermi edge and thus is semiconductor. The hybridization between 6s state of Yb and the LUMO band of C 60 cannot be considered to be negligible. Some Yb 6s electrons occupy the Yb-C 60 covalent band in Yb 2 75 C 60 .
Keywords:Yb 2  75 C  60  photoemission spectra  electronic density of states  
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