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F掺杂SnO2电子结构的模拟计算
引用本文:徐剑,黄水平,王占山,鲁大学,苑同锁.F掺杂SnO2电子结构的模拟计算[J].物理学报,2007,56(12).
作者姓名:徐剑  黄水平  王占山  鲁大学  苑同锁
摘    要:采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对SnO2:F体系的电子结构进行了第一性原理模拟计算.用广义梯度近似方法优化SnO2:F体系的晶胞结构,计算了体系基态总能.通过确定F掺杂对O的优先替代位置,计算了SnO2:F的能带结构、态密度、分波态密度.分析了F掺杂对SnO2晶体的电子结构和晶体性质及光学吸收边的影响,从理论上得出光学吸收边发生蓝移.对不同掺杂量的体系电子结构进行了分析.

关 键 词:F掺杂  电子结构  态密度

Simulative calculation of electronic structure of F-doped SnO2
Xu Jian,Huang Shui-Ping,Wang Zhan-Shan,Lu Da-Xue,Yuan Tong-Suo.Simulative calculation of electronic structure of F-doped SnO2[J].Acta Physica Sinica,2007,56(12).
Authors:Xu Jian  Huang Shui-Ping  Wang Zhan-Shan  Lu Da-Xue  Yuan Tong-Suo
Abstract:
Keywords:SnO2
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