| γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究 |
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| 引用本文： | 丁迎春,徐 明,潘洪哲,沈益斌,祝文军,贺红亮.γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究[J].物理学报,2007,56(1):117-122. |
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| 作者姓名： | 丁迎春 徐 明 潘洪哲 沈益斌 祝文军 贺红亮 |
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| 作者单位： | 四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室, 成都 610068;四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室, 成都 610068;重庆邮电学院光电工程学院, 重庆 400065;四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室, 成都 610068;四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室, 成都 610068;四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室, 成都 610068;中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室，绵阳 621900;中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室，绵阳 621900 |
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| 基金项目： | 四川省教育厅重点基金(批准号:2005A092)和四川师范大学重点研究经费(批准号:037003)资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91)，计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果，分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明，γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料.
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| 关 键 词： | γ- Si3N4 光学性质 力学性质 高压 |
| 文章编号： | 1000-3290/2007/56(01)/0117-06 |
| 收稿时间： | 2006-04-14 |
| 修稿时间： | 04 14 2006 12:00AM |
Electronic structure and physical properties of γ-Si3N4 under high pressure |
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| Ding Ying-Chun,Xu Ming,Pan Hong-Zhe,Shen Yi-Bin,Zhu Wen-Jun and He Hong-Liang.Electronic structure and physical properties of γ-Si3N4 under high pressure[J].Acta Physica Sinica,2007,56(1):117-122. |
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| Authors: | Ding Ying-Chun Xu Ming Pan Hong-Zhe Shen Yi-Bin Zhu Wen-Jun and He Hong-Liang |
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| Abstract: | The pressure-dependent electronic structure and physical properties of γ- Si3N4 have been calculated by means of plane wave pseudo-potential method (PWP) using GGA-PW91. Based on the calculations, we analyzed the influence of pressure on the optical and mechanical properties γ-Si3N4, which indicates that γ-Si3N4 is quite suitable for applications under high pressure. |
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| Keywords: | γ-Si3N4 optical property mechanical property high pressure |
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