| 衬底温度对反应磁控溅射W掺杂ZnO薄膜的微观结构及光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 张翅,陈新亮,王斐,闫聪博,黄茜,赵颖,张晓丹,耿新华.衬底温度对反应磁控溅射W掺杂ZnO薄膜的微观结构及光电性能的影响[J].物理学报,2012,61(23):498-504. |
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| 作者姓名： | 张翅 陈新亮 王斐 闫聪博 黄茜 赵颖 张晓丹 耿新华 |
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| 作者单位： | 南开大学,光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究计划，国家高技术研究发展计划，科技部国际合作项目，天津市应用基础及前沿技术研究计划，中央高校基本科研业务费专项资金项目( |
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| 摘 要： | 采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO（WZO）透明导电氧化物薄膜并研究了衬底温度对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响.实验结果表明,WZO薄膜具有良好的（002）晶面择优取向,且适当的衬底温度是制备优质WZO薄膜的关键因素.随着衬底温度升高,薄膜表面粗糙度先增大后减小;衬底温度较高时,薄膜的结构致密,结晶质量好,电子迁移率高.当衬底温度为325℃时,WZO薄膜获得最低电阻率9.25×10-3Ω·cm,方块电阻为56.24Ω/□,迁移率为11.8 cm2 V-1·s-1,其在可见光及近红外区域（400—1500 nm）范围的平均透过率达到85.7%.
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| 关 键 词： | 反应磁控溅射 ZnO薄膜 W掺杂 衬底温度 |
Temperature-dependant growth and properties of W-doped ZnO thin films deposited by reactive magnetron sputtering |
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| Zhang Chi Chen Xin-Liang Wang Fei Yan Cong-Bo Huang Qian Zhao Ying Zhang Xiao-Dan Geng Xin-Hua.Temperature-dependant growth and properties of W-doped ZnO thin films deposited by reactive magnetron sputtering[J].Acta Physica Sinica,2012,61(23):498-504. |
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| Authors: | Zhang Chi Chen Xin-Liang Wang Fei Yan Cong-Bo Huang Qian Zhao Ying Zhang Xiao-Dan Geng Xin-Hua |
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| Institution: | Zhang Chi Chen Xin-Liang Wang Fei Yan Cong-Bo Huang Qian Zhao Ying Zhang Xiao-Dan Geng Xin-Hua (Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology,Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology, Tianjin Key Laboratory of Opto-Electronic Information Science and Technology for Ministry of Education,Nankai University,Tianjin 300071,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | reactive magnetron sputtering ZnO thin films W-doping substrate temperature |
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