| 基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究 |
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| 引用本文： | 陈晓雪,姚若河.基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究[J].物理学报,2012,61(23):416-421. |
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| 作者姓名： | 陈晓雪 姚若河 |
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| 作者单位： | 华南理工大学电子与信息学院,广州,510640 |
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| 摘 要： | 基于表面势模型,在同时考虑深能态和带尾态分布下,采用简化的费米-狄拉克函数计算得到统一的定域态模型,并利用有效特征温度的概念,推导出a-Si:H TFT统一的电流-电压(I-V)模型.该模型可不分区地描述包括亚阈值区、线性区以及饱和区等a-Si:H TFT的所有工作区域.与实验得到的I-V特性进行比较表明,本模型能够准确地描述a-Si:H TFT的各个工作区的电流电压特性.
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| 关 键 词： | 非晶硅 表面势 薄膜晶体管 有效特征温度 |
DC characteristic research based on surface potential for a-Si : H thin-film transistor |
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| Chen Xiao-Xue Yao Ruo-He.DC characteristic research based on surface potential for a-Si : H thin-film transistor[J].Acta Physica Sinica,2012,61(23):416-421. |
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| Authors: | Chen Xiao-Xue Yao Ruo-He |
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| Institution: | Chen Xiao-Xue Yao Ruo-He (School of Electronic and Information Engineering,South China University of Technology,Guangzhou 510640,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | a-Si surface potential TFT effective characteristic temperature |
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