| 湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响 |
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| 引用本文： | 崔秀芝,张天冲,梅增霞,刘章龙,刘尧平,郭阳,苏希玉,薛其坤,杜小龙.湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响[J].物理学报,2009,58(1):309-314. |
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| 作者姓名： | 崔秀芝 张天冲 梅增霞 刘章龙 刘尧平 郭阳 苏希玉 薛其坤 杜小龙 |
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| 作者单位： | (1)曲阜师范大学物理工程学院，曲阜 273165; (2)中国科学院物理研究所，北京 100190; (3)中国科学院物理研究所，北京 100190；清华大学物理系,北京 100084; (4)中国科学院物理研究所，北京 100190；曲阜师范大学物理工程学院，曲阜 273165 |
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| 基金项目： | 国家科学基金(批准号：50532090, 60606023和10604007)，国家科技部(批准号：2007CB936203)和中国科学院资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用射频等离子体辅助分子束外延法，在刻有周期性孔点阵结构的Si衬底上生长了ZnO二维周期结构薄膜，系统研究了湿法化学刻蚀对孔形点阵Si(100),Si(111)基片表面形貌的影响，以及两种初底上ZnO外延薄膜的结晶质量与周期形貌的差异.X射线衍射及扫描电子显微测试结果表明：Si (111)衬底上生长出的ZnO二维周期结构薄膜具有较好的结晶质量与较好的周期性表面形貌.该研究结果为二维周期结构的制备提供了一种新颖的方法.
关键词：
ZnO
分子束外延
Si
湿法刻蚀
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| 关 键 词： | ZnO 分子束外延 Si 湿法刻蚀 |
| 收稿时间： | 5/4/2008 12:00:00 AM |
Influence of wet etching on the morphologies of Si patterned substrates and ZnO epilayers |
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| Cui Xiu-Zhi,Zhang Tian-Chong,Mei Zeng-Xia,Liu Zhang-Long,Liu Yao-Ping,Guo Yang,Su Xi-Yu,Xue Qi-Kun,Du Xiao-Long.Influence of wet etching on the morphologies of Si patterned substrates and ZnO epilayers[J].Acta Physica Sinica,2009,58(1):309-314. |
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| Authors: | Cui Xiu-Zhi Zhang Tian-Chong Mei Zeng-Xia Liu Zhang-Long Liu Yao-Ping Guo Yang Su Xi-Yu Xue Qi-Kun Du Xiao-Long |
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| Abstract: | A ZnO film with two-dimensional periodic structure was grown on Si substrate by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy. The influence of wet-chemical etching on Si (100) and Si (111) substrates patterned with dot arrays was investigated for achieving a ZnO film with good periodic structure. X-ray diffraction and scanning electron microscopy mesurements demonstrate better crystalline quality and surface morphology of ZnO film grown on Si (111) than that on Si (100). The results suggest that the growth method is feasible for the fabrication of ZnO film with good periodic structure. |
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| Keywords: | ZnO molecular beam epitaxy silicon wet etching |
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