| 纳米C和SiC掺杂对MgB2带材超导性能的影响 |
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| 引用本文： | 张现平,马衍伟,高召顺,禹争光,K. Watanabe,闻海虎.纳米C和SiC掺杂对MgB2带材超导性能的影响[J].物理学报,2006,55(9). |
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| 作者姓名： | 张现平 马衍伟 高召顺 禹争光 K. Watanabe 闻海虎 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用X射线衍射仪,扫描电镜,超导量子干涉仪等仪器对纳米C和SiC掺杂的MgB2带材进行了表征,并采用标准四引线法对样品的临界电流进行了测试. 实验表明,C和SiC掺杂在提高MgB2带材高场下的临界电流密度方面具有显著效果. 在温度为4.2 K、磁场大于9 T条件下,C和SiC掺杂样品的临界电流密度与未掺杂样品相比均提高一个数量级以上. 掺杂样品高磁场下良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用. 实验结果表明,SiC掺杂的MgB2带材之所以具有非常好的高场电流特性,和C掺杂的样品一样, C对B的替代起到十分关键的作用.
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| 关 键 词： | MgB2带材 C掺杂 SiC掺杂 临界电流性能 |
Effect of nanoscale C and SiC doping on the superconducting properties of MgB2 tapes |
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| Zhang Xian-Ping,Ma Yan-Wei,Gao Zhao-Shun,Yu Zheng-Guang,K. Watanabe,Wen Hai-Hu.Effect of nanoscale C and SiC doping on the superconducting properties of MgB2 tapes[J].Acta Physica Sinica,2006,55(9). |
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| Authors: | Zhang Xian-Ping Ma Yan-Wei Gao Zhao-Shun Yu Zheng-Guang K Watanabe Wen Hai-Hu |
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