| 二硫化钼的电子能带结构和低温输运实验进展 |
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| 引用本文： | 吴帆帆,季怡汝,杨威,张广宇.二硫化钼的电子能带结构和低温输运实验进展[J].物理学报,2022(12):278-288. |
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| 作者姓名： | 吴帆帆 季怡汝 杨威 张广宇 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家研究中心;2. 中国科学院大学物理科学学院;3. 松山湖材料实验室 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划(批准号:2020YFA0309600,2021YFA1202900)；;国家自然科学基金(批准号:11834017,61888102)；;广东省重点领域研发计划(批准号:2020B0101340001)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 二硫化钼是一种层状的过渡金属硫族化合物半导体,它在二维自旋电子学、谷电子学及光电子学领域有很多的应用.本综述以二硫化钼为代表,系统介绍其单层、双层及转角双层的堆垛和能带结构;介绍了转角双层莫尔超晶格的制备方法、以及低温电学输运方面的实验进展,例如超导和强关联现象;分析了转角过渡金属硫化物莫尔超晶格在优化接触和样品质量等方面存在的一些挑战,并展望该领域未来的发展.
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| 关 键 词： | 二硫化钼 能带结构 低温输运 莫尔超晶格 |
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