| 静态随机存储器单粒子效应的角度影响研究 |
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| 引用本文： | 张庆祥,侯明东,刘杰,王志光,金运范,朱智勇,孙友梅.静态随机存储器单粒子效应的角度影响研究[J].物理学报,2004,53(2):566-570. |
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| 作者姓名： | 张庆祥 侯明东 刘杰 王志光 金运范 朱智勇 孙友梅 |
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| 作者单位： | (1)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000; (2)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000;中国科学院空间科学与应用研究中心,北京 100080 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：19775058,10075064）和中国科学院“九五”重大课题（批准号：KJ952-SI-423)资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用兰州重离子加速器加速的高能离子研究了入射角度对IDT71256的单粒子翻转截面和多位翻转比例的影响.研究表明：在大角度掠射轰击下单粒子翻转截面的增大包括了多位翻转的贡献；离子在器件敏感层中沉积的能量及其横向分布是影响多位翻转的两个重要参数，IDT71256发生三位以上多位翻转的比例随着离子入射角度的增大而增加.
关键词：
静态存储器
单粒子翻转
多位翻转
沉积能量
横向分布
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| 关 键 词： | 静态存储器 单粒子翻转 多位翻转 沉积能量 横向分布 |
| 收稿时间： | 2003-03-12 |
The dependence of single event upset cross-section on incident angle |
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| Zhang Qing-Xiang,Hou Ming-Dong,Liu Jie,Wang Zhi-Guang,Jin Yun-Fan,Zhu Zhi-Yong and Sun You-Mei.The dependence of single event upset cross-section on incident angle[J].Acta Physica Sinica,2004,53(2):566-570. |
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| Authors: | Zhang Qing-Xiang Hou Ming-Dong Liu Jie Wang Zhi-Guang Jin Yun-Fan Zhu Zhi-Yong and Sun You-Mei |
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| Abstract: | Swift heavy ions delivered by Heavy Ion Research Facility at Lanzhou(HIRFL) were used to bombard the 32k SRAM IDT71256 at angles from 0°—85°. The multiple bit upset(MBU) ratio can reach as high as 70% when the device was tested with 15.14MeV/u 136Xe ions or at large angles with 36Ar ions. The angular effect of cross section is mainly due to occurrence of MBU especially at large angles. The MBU ratio is determined by the energy deposited in the whole sensitive layer and that of more than two bit upset is increased with incident angle. |
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| Keywords: | SRAM single event upset multiple bit upset incident angle deposited energy |
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