| Cu-W薄膜表面形貌的分形表征与电阻率 |
| |
| 引用本文： | 汪渊,徐可为.Cu-W薄膜表面形貌的分形表征与电阻率[J].物理学报,2004,53(3):900-904. |
| |
| 作者姓名： | 汪渊 徐可为 |
| |
| 作者单位： | (1)西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安 710049; (2)西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安 710049;兰州铁道学院机械与动力学院,兰州 730070 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目(批准号: 59931010)和国家教育部骨干教师计划资助的课题. |
| |
| 摘 要： | 磁控溅射制备铜钨薄膜，用原子力显微镜和功率谱密度法分析薄膜生长表面形貌的分形维数，发现频段的选择基本不影响分形维数与溅射时间的关系.随溅射时间延长，薄膜厚度增加，分形维数增大，电阻率随分形维数的增大而升高.分析分形维数与电阻率的关系，认为对同一物质的导电薄膜，其表面形貌与电阻率存在对应关系.
关键词：
Cu-W薄膜
分形维数
功率谱密度
电阻率
|
| 关 键 词： | Cu-W薄膜 分形维数 功率谱密度 电阻率 |
| 收稿时间： | 2003-03-21 |
Cu-W Thin film characterized by surface fractal and resistivity |
| |
| Wang Yuan and Xu Ke-Wei.Cu-W Thin film characterized by surface fractal and resistivity[J].Acta Physica Sinica,2004,53(3):900-904. |
| |
| Authors: | Wang Yuan and Xu Ke-Wei |
| |
| Abstract: | Thin films of Cu-W were deposited on Si wafers by magnetron sputtering,and characterized by atomic force microscopy(AFM).Power spectra density was used to calculate the fractal dimension of the AFM images.The results show that the fractal dimension values increase with the film thickness and there is a relationship between the fractal dimension and the resistivity of the films.The change of resistivity is directly proportional to the fractal dimension. |
| |
| Keywords: | Cu-W thin film fractal dimension power spectra density resistivity |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
