首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

关于半导体吸收边附近的三阶非线性光学常数
引用本文:甘子钊,杨国桢.关于半导体吸收边附近的三阶非线性光学常数[J].物理学报,1982,31(2):237-242.
作者姓名:甘子钊  杨国桢
作者单位:(1)北京大学物理系; (2)中国科学院物理研究所
摘    要:本文分析了半导体在吸收边附近,由于带间跃迁的饱和效应而产生的三阶非线性光学效应,并给出了InSb中反常大的三阶非线性光学常数。 关键词

收稿时间:1981-05-25

ON THE THIRD ORDER OPTICAL NONLINEARITY OF SEMICONDUCTORS NEAR ITS ABSORPTION EDGE
GAN ZI-ZHAO and YANG GUO-ZHEN.ON THE THIRD ORDER OPTICAL NONLINEARITY OF SEMICONDUCTORS NEAR ITS ABSORPTION EDGE[J].Acta Physica Sinica,1982,31(2):237-242.
Authors:GAN ZI-ZHAO and YANG GUO-ZHEN
Abstract:A theory is proposed about the third order optical nonlinearity which is induced by the saturation effect of interband transitions in semiconductors near the absorption edge. The value of the exceptionally large nonlinear refractive index of InSb is given.
Keywords:
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号