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Co掺杂对ZnO薄膜结构和性能的影响
引用本文:杨景景,方庆清,王保明,王翠平,周军,李雁,刘艳美,吕庆荣.Co掺杂对ZnO薄膜结构和性能的影响[J].物理学报,2007,56(2):1116-1120.
作者姓名:杨景景  方庆清  王保明  王翠平  周军  李雁  刘艳美  吕庆荣
作者单位:(1)安徽大学物理与材料科学学院,光电信息获取与控制教育部重点实验室,合肥 230039; (2)安徽大学物理与材料科学学院,光电信息获取与控制教育部重点实验室,合肥 230039;常州工学院理学院,常州 213022
基金项目:安徽省高校青年教师科研项目
摘    要:采用PVA溶胶-凝胶方法,在玻璃衬底上制备了Zn1-xCoxO薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)研究了不同Co含量对其微结构的影响.采用振动样品磁强计(VSM)测量了Zn0.88Co0.12O样品室温下的磁性.采用荧光光谱仪研究了Zn1-xCoxO样品室温下的发光特性,分析掺杂含量对其发光性能的影响,发现随着掺杂含量的增加,蓝光发光峰有一定的红移现象. 关键词: PVA方法 ZnO 掺杂

关 键 词:PVA方法  ZnO  掺杂
文章编号:1000-3290/2007/56(02)/1116-05
收稿时间:2006-05-20
修稿时间:05 20 2006 12:00AM

Influence of Co doping on ZnO film
Yang Jing-Jing,Fang Qing-Qing,Wang Bao-Ming,Wang Cui-Ping,Zhou Jun,Li Yan,Liu Yan-Mei,Lü Qing-Rong.Influence of Co doping on ZnO film[J].Acta Physica Sinica,2007,56(2):1116-1120.
Authors:Yang Jing-Jing  Fang Qing-Qing  Wang Bao-Ming  Wang Cui-Ping  Zhou Jun  Li Yan  Liu Yan-Mei  Lü Qing-Rong
Institution:School of Physics and Material Science, Anhui University, Hefei 230039, China;Sehod of Scienos, Changzhou Institute of Technology, Changzhou 213002, China
Abstract:The Co2+ ions doped ZnO diluted magnetic semiconductor films, Zn1-xCoxO, were prepared on glass substrate using PVA method. The structure of Zn1-xCoxO thin films with different x value and its photoluminescence properties were investigated. The vibrating sample magnetometer (VSM) measures the ferromagnetic properties of Zn0.88Co0.12O thin films at room temperature. We analyzed the influence of doping content on its luminescence performance, and discovered that with the doping content increasing, the blue luminescence peak shows a red shift.
Keywords:ZnO
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