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忆阻元件与RLC以及二极管串并联电路的特性研究
引用本文:王天舒,张瑞德,关哲,巴柯,俎云霄.忆阻元件与RLC以及二极管串并联电路的特性研究[J].物理学报,2014,63(17):178101-178101.
作者姓名:王天舒  张瑞德  关哲  巴柯  俎云霄
作者单位:北京邮电大学电子工程学院, 北京 100876
基金项目:北京邮电大学大学生研究创新基金资助的课题
摘    要:对第四类基本电路元件:忆阻元件与RLC以及二极管串并联电路特性进行了研究,分别建立了两种电路的数学模型,并进行了仿真研究,分析了电路中的电容、电感、电阻等参数对电路特性的影响,得出了相关的结论.

关 键 词:忆阻元件  RLC电路  二极管  数学模型
收稿时间:2014-04-04

Properties of memristor in RLC circuit and diode circuit
Wang Tian-Shu , Zhang Rui-De , Guan Zhe , Ba Ke , Zu Yun-Xiao.Properties of memristor in RLC circuit and diode circuit[J].Acta Physica Sinica,2014,63(17):178101-178101.
Authors:Wang Tian-Shu  Zhang Rui-De  Guan Zhe  Ba Ke  Zu Yun-Xiao
Abstract:The study focuses on studying the basic properties of memristors in RLC circuit and diode circuit. Mathematical models are built up separately for memristors in the two types of circuits. In order to understand the influence of the model's parameters on the circuits' properties, simulations are made for the two mathematical models. The model's parameters include properties such as the capacitance, resistance and inductance. In the final part of the paper, we give and make conclusions based on the simulation results.
Keywords: memristor RLC circuit')" href="#">RLC circuit diode circuit mathematic model
Keywords:memristor  RLC circuit  diode circuit  mathematic model
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