| SnO_2/p~+-Si异质结器件的电致发光:利用TiO_2盖层提高发光强度 |
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| 引用本文： | 蒋昊天,杨扬,汪粲星,朱辰,马向阳,杨德仁.SnO_2/p~+-Si异质结器件的电致发光:利用TiO_2盖层提高发光强度[J].物理学报,2014,63(17):177302-177302. |
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| 作者姓名： | 蒋昊天 杨扬 汪粲星 朱辰 马向阳 杨德仁 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)，浙江省自然科学基金，浙江省创新团队项目( |
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| 摘 要： | 通过在重掺硼硅(p+-Si)衬底上溅射SnO2薄膜并在O2气氛下800℃热处理形成SnO2/p+-Si异质结.基于该异质结的器件可在低电压(电流)驱动下电致发光.进一步地,通过在SnO2薄膜上增加TiO2盖层,使器件的电致发光获得显著增强.这是由于TiO2盖层的引入,一方面使SnO2薄膜更加致密,减少了非辐射复合中心;另一方面TiO2较大的折射率和合适的厚度使SnO2薄膜电致发光的出光效率得到提高.
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| 关 键 词： | SnO2/p+-Si异质结 TiO2盖层 电致发光 |
| 收稿时间： | 2014-03-13 |
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