| 应力导致InAs/In0.15Ga0.85As量子点结构中 In0.15Ga0.85As阱层的合金分解效应研究 |
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| 引用本文： | 王茺,刘昭麟,陈平平,崔昊杨,夏长生,杨宇,陆卫.应力导致InAs/In0.15Ga0.85As量子点结构中 In0.15Ga0.85As阱层的合金分解效应研究[J].物理学报,2007,56(9). |
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| 作者姓名： | 王茺 刘昭麟 陈平平 崔昊杨 夏长生 杨宇 陆卫 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 利用固源分子束外延技术,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In0.15Ga0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAs DWELL样品中的In0.15Ga0.85As阱层的厚度和生长温度,获得了量子点尺寸增大而且尺寸分布更均匀的结果.结合光致发光光谱(PL)和压电调制光谱(PzR)实验结果,发现该样品量子点的光学性质也同时得到了极大的优化.基于有效质量近似的数值计算结果表明:量子点后生长过程中应力导致In0.15Ga0.85As阱层合金分解机理是导致量子点尺寸和光学性质得到优化的主要原因.
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| 关 键 词： | 合金分解效应 InAs/In0.15Ga0.85As量子点 光致发光光谱 压电调制光谱 |
Strain-driven alloy decomposition of In0.15Ga0.85As well layers in InAs/In0.15Ga0.85As dots-in-a-well structure |
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| Wang Chong,Liu Zhao-Lin,Chen Ping-Ping,Cui Hao-Yang,Xia Chang-Sheng,Yang Yu,Lu Wei.Strain-driven alloy decomposition of In0.15Ga0.85As well layers in InAs/In0.15Ga0.85As dots-in-a-well structure[J].Acta Physica Sinica,2007,56(9). |
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| Authors: | Wang Chong Liu Zhao-Lin Chen Ping-Ping Cui Hao-Yang Xia Chang-Sheng Yang Yu Lu Wei |
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