| Ga6 N6团簇结构性质的理论计算研究 |
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| 引用本文： | 郝静安,郑浩平.Ga6 N6团簇结构性质的理论计算研究[J].物理学报,2004,53(4). |
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| 作者姓名： | 郝静安 郑浩平 |
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| 摘 要： | 在密度泛函理论的基础上,对Ga6N6团簇进行了第一性原理、全电子、从头计算,得到了10种可能的三维空间结构及其电子结构.其中最稳定结构的一对GaN原子的平均结合能为9.748 eV,因此是可能存在的.但与他人计算的Ga3N3和Ga5N5相比,Ga6N6团簇可能不属于"幻数"团簇.最稳定结构的Ga6N6团簇的费米面是部分占有的,能量为EF=-5.2972 eV,因此具有"金属性",但没有自旋磁矩.我们还计算了该结构的Ga6N6团簇的亲和势、电离能和电子跃迁能.这将有助于对GanNn团簇系列的结构和性质随n变化的研究.
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| 关 键 词： | GaN 团簇 电子结构 |
Theoretical calculation of structures and properties of Ga6N6 cluster |
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