| 源气体对沉积的a-C∶F∶H薄膜结构的影响 |
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| 引用本文： | 辛煜,宁兆元,程珊华,陆新华,江美福,许圣华,叶超,黄松,杜伟.源气体对沉积的a-C∶F∶H薄膜结构的影响[J].物理学报,2002,51(8):1865-1869. |
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| 作者姓名： | 辛煜 宁兆元 程珊华 陆新华 江美福 许圣华 叶超 黄松 杜伟 |
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| 作者单位： | (1)苏州大学物理系,薄膜材料省重点实验室,苏州215006; (2)苏州大学物理系,薄膜材料省重点实验室,苏州215006; |
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| 基金项目： | 江苏省自然科学基金 (批准号 :0 0KJB43 0 0 0 1);国家自然科学基金 (批准号 :10 175 0 48)资助的课题 |
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| 摘 要： | 采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWPECRCVD)方法,使用不同的源气体(CHF3CH4,CHF3C2H2,CHF3C6H6)体系制备了aC∶F∶H薄膜.由于CH4,C2H2,C6H6气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异.红外吸收谱的结果表明,用C6H6CHF3作为源气体沉积的薄膜中几乎不含H,而用C2H2CHF3所沉积的薄膜中的含氟量最高,其相应的CF振动峰位向高频方向偏移.薄膜的真空退火结果表明,aC∶F∶H薄膜的热稳定性除了取决于薄膜的CC键浓度外,还与CC键
关键词：
氟化非晶碳膜
电子回旋共振化学气相沉积
红外吸收光谱
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| 关 键 词： | 氟化非晶碳膜 电子回旋共振化学气相沉积 红外吸收光谱 |
| 收稿时间： | 2001-11-20 |
| 修稿时间： | 2001年11月20 |
The influence of different precursor gases on the as-deposited a-C∶F∶H films |
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| Xin Yu,Ning Zhao-Yuan,Cheng Shan-Hu,Lu Xin-Hu,Wang Mei-Fu,Xu Sheng-Hu,Ye Chao,Huang Song and Du Wei.The influence of different precursor gases on the as-deposited a-C∶F∶H films[J].Acta Physica Sinica,2002,51(8):1865-1869. |
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| Authors: | Xin Yu Ning Zhao-Yuan Cheng Shan-Hu Lu Xin-Hu Wang Mei-Fu Xu Sheng-Hu Ye Chao Huang Song and Du Wei |
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| Abstract: |
Keywords： |
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| Keywords: | fluorinated carbon films ECR CVD Fourier transform infrared spectroscopy |
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