| Ni/Ag/Ti/Au与p-GaN的欧姆接触性能及光反射率 |
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| 引用本文： | 黄亚平,云峰,丁文,王越,王宏,赵宇坤,张烨,郭茂峰,侯洵,刘硕.Ni/Ag/Ti/Au与p-GaN的欧姆接触性能及光反射率[J].物理学报,2014(12):329-336. |
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| 作者姓名： | 黄亚平 云峰 丁文 王越 王宏 赵宇坤 张烨 郭茂峰 侯洵 刘硕 |
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| 作者单位： | 西安交通大学;电子物理与器件教育部重点实验室;陕西省信息光子技术重点实验室;西安交通大学固态照明工程研究中心;陕西新光源科技有限责任公司; |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(批准号:2012AA041004,2011AA03A111)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 研究了不同Ni厚度的Ni/Ag/Ti/Au电极在不同退火温度和退火气氛下与p-GaN之间的欧姆接触性能以及电极的光反射率的变化.采用矩形传输线模型对各电极的比接触电阻率进行测算,利用分光光度计对电极在不同波长下的反射率进行测量.结果表明,Ni金属层的厚度越小,电极的光反射率越高,而Ni层厚度对比接触电阻率的影响较小;当退火温度高于400℃后,电极的光反射率降低,在氧气氛围中退火后光反射率比在氮气中退火后下降更加明显.但在氧气氛围中退火有利于减小比接触电阻率.综合考虑接触电阻和光反射率,电极Ni(1 nm)/Ag/Ti/Au在400℃氧气中快速退火后得到了较好的结果,其比接触电阻率为5.5×10-3Ω·cm2,在450 nm处反射率为85%.利用此电极制作了垂直结构发光二极管(LED)器件,LED在350 mA注入电流下,工作电压为3.2 V,发光功率为270 mW,电光转换效率达到24%.
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| 关 键 词： | p-GaN 欧姆接触 反射率 快速退火 |
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