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溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的薄膜晶体管
引用本文:高娅娜,李喜峰,张建华.溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的薄膜晶体管[J].物理学报,2014(11):388-393.
作者姓名:高娅娜  李喜峰  张建华
作者单位:上海大学;新型显示技术与应用集成教育部重点实验室;
基金项目:国家自然科学基金(批准号:61006005);上海科学技术委员会项目(批准号:13520500200)资助的课题~~
摘    要:本文采用溶胶凝胶法制备了锆掺杂铝氧化物(锆铝氧化物)和铪铟锌氧化物薄膜,并用于制造薄膜晶体管的绝缘层和有源层.锆铝氧化物绝缘层具有较高的介电常数,其相对介电常数为19.67,且薄膜表面光滑,致密,其表面粗糙度仅为0.31 nm.获得的薄膜晶体管具备良好的器件性能,当器件宽长比为5时,器件的饱和迁移率为21.3 cm2/V·s,阈值电压为0.3 V,开关比可以达到4.3×107,亚阈值摆幅仅有0.32 V/dec.

关 键 词:薄膜晶体管  锆铝氧化物  迁移率
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