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GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究
引用本文:罗毅,郭文平,邵嘉平,胡卉,韩彦军,薛松,汪莱,孙长征,郝智彪.GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究[J].物理学报,2004,53(8):2720-2723.
作者姓名:罗毅  郭文平  邵嘉平  胡卉  韩彦军  薛松  汪莱  孙长征  郝智彪
作者单位:清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京 100084
基金项目:国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA313130,2001AA312190)、国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2000036601)和国家自然科学基金(批准号:60244001,60290084)资助的课题.
摘    要:尽管GaN基蓝绿光发光二极管(LED)已进入大规模商品化阶段,但其发光波长随注入电流的变化仍是一个尚未解决的关键技术难题.同时,蓝绿光LED电注入发光光谱的半高全宽多为25nm以上.通过优化LED器件材料的生长条件和总应变量,获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱LED外延片.由此制作的LED器件在0—120?mA的注入电流下,发光波长变化小于1nm.在20mA的正向电流下,其光谱半高全宽只有18nm,且随注入电流变化较小. 关键词: GaN 发光二极管 波长稳定性

关 键 词:GaN  发光二极管  波长稳定性
文章编号:1000-3290/2004/53(08)/2720-04

A study on wavelength stability of GaN-based blue light emitting diodes
Luo Yi,Guo Wen-Ping,Shao Jia-Ping,Hu Hui,Han Yan-Jun,Xue Song,Wang Lai,Sun Chang-Zheng and Hao Zhi-Biao.A study on wavelength stability of GaN-based blue light emitting diodes[J].Acta Physica Sinica,2004,53(8):2720-2723.
Authors:Luo Yi  Guo Wen-Ping  Shao Jia-Ping  Hu Hui  Han Yan-Jun  Xue Song  Wang Lai  Sun Chang-Zheng and Hao Zhi-Biao
Abstract:
Keywords
Keywords:GaN  light_emitting diode  wavelength stability
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