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非晶微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究
引用本文:张世斌,廖显伯,安龙,杨富华,孔光临,王永谦,徐艳月,陈长勇,刁宏伟.非晶微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究[J].物理学报,2002,51(8):1811-1815.
作者姓名:张世斌  廖显伯  安龙  杨富华  孔光临  王永谦  徐艳月  陈长勇  刁宏伟
作者单位:(1)中国科学院半导体所超晶格与微结构国家重点实验室,北京100083; (2)中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京100083
基金项目:国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 1)资助的课题~~
摘    要:通过改变氢气对硅烷气体的稀释程度,并保持其他的沉积参量不变,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功地制备出处于非晶微晶相变过渡区域的硅薄膜样品.测量了样品的室温光电导和暗电导,样品的光电性能优越,在50mW·cm-2的白光照射下,光电导和暗电导的比值达到106.在室温下用微区喇曼谱研究了薄膜的微结构特性,用高斯函数对喇曼谱进行了拟合分析.结果表明,在我们的样品制备条件下,当H2和SiH4的流量比R较小时,样品表现出典型的非晶硅薄膜的结构特性;随流量比R的增大,薄膜表现出两相结构,其中的微晶成分随 关键词: 非晶硅 薄膜 喇曼散射 微结构

关 键 词:非晶硅  薄膜  喇曼散射  微结构
收稿时间:2001-11-26
修稿时间:1/7/2002 12:00:00 AM

Micro-Raman study on hydrogenated protocrystalline silicon films
Zhang Shi-Bin,Liao Xian-Bo,An Long,Yang Fu-Hu,Kong Guang-Lin,Wang Yong-Qian,Xu Yan-Yue,Chen Chang-Yong and Diao Hong-Wei.Micro-Raman study on hydrogenated protocrystalline silicon films[J].Acta Physica Sinica,2002,51(8):1811-1815.
Authors:Zhang Shi-Bin  Liao Xian-Bo  An Long  Yang Fu-Hu  Kong Guang-Lin  Wang Yong-Qian  Xu Yan-Yue  Chen Chang-Yong and Diao Hong-Wei
Institution:State Key Laboratory for Surfac
Abstract:
Keywords
Keywords:amorphous silicon    film  Raman scattering    microstructure  
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