| GaN基LED量子阱内量子点发光性质的模拟分析 |
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| 引用本文： | 王度阳,孙慧卿,解晓宇,张盼君.GaN基LED量子阱内量子点发光性质的模拟分析[J].物理学报,2012,61(22):415-420. |
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| 作者姓名： | 王度阳 孙慧卿 解晓宇 张盼君 |
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| 作者单位： | 华南师范大学,光电子材料与技术研究所,广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室,广州510631 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:60877069);广东省战略性新兴产业专项资金LED产业项目(批准号:2011A081301004,2012A080304006)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 采用模拟计算的方法，运用量子点模型对GaN基LED器件中不同尺寸量子点的电致发光光谱进行模拟分析，并对器件结构中电子空穴浓度，辐射复合强度进行了研究．分析结果显示，随着量子点尺寸的增大，量子点发光波长存在红移，当圆柱状量子点半径从1．8nm增长到13nm时，波长红移309．6meV,在量子阱中生长单一尺寸的量子点可以达到不同波长的单色发光器件，而在不同量子阱中生长不同尺寸的量子点可以实现多波长发光，以及单颗LED的白色显示，并通过调节量子点的分布密度达到调节各发光波长强度的目的．结果表明，量子点分布密度调节之后多波长发光均匀性得到有效改善．
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| 关 键 词： | GaN 量子点 尺寸效应 多波长LED |
Theoretical study of luminance of GaN quantum dots planted in quantum well |
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| Wang Du-Yang Sun Hui-Qing Xie Xiao-Yu Zhang Pan-Jun.Theoretical study of luminance of GaN quantum dots planted in quantum well[J].Acta Physica Sinica,2012,61(22):415-420. |
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| Authors: | Wang Du-Yang Sun Hui-Qing Xie Xiao-Yu Zhang Pan-Jun |
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| Institution: | Wang Du-Yang Sun Hui-Qing Xie Xiao-Yu Zhang Pan-Jun( Laboratory of Nanophotonic Functional Materials and Devices, Institute of Opto-Electronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China ) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN quantum dot size effect muti-wavelength LED |
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