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| p型纳米硅与a-Si∶H不锈钢底衬nip太阳电池 | |
| 引用本文： | 胡志华,廖显伯,刁宏伟,夏朝凤,曾湘波,郝会颖,孔光临.p型纳米硅与a-Si∶H不锈钢底衬nip太阳电池[J].物理学报,2005,54(6):2945-2949. |
| 作者姓名： | 胡志华 廖显伯 刁宏伟 夏朝凤 曾湘波 郝会颖 孔光临 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083;云南师范大学能源与环境科学学院,云南师范大学太阳能研究所,昆明,650092 2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 3. 云南师范大学能源与环境科学学院,云南师范大学太阳能研究所,昆明,650092 |
| 基金项目： | 国家重大基础研究计划(973)项目(批准号:G2000028201)资助的课题.~~ |
| 摘 要： | 报道了选用厚度为0.05mm的不锈钢箔作衬底,B掺杂P型氢化纳米硅作窗口层,制备成功开路电压和填充因子分别达到0.90V和0.70的nip非晶硅基薄膜单结太阳电池.UV VIS透射谱和微区Raman谱证实所用p层具有典型氢化纳米硅的宽能隙和含有硅结晶颗粒的微结构特征.明确指出导致这种氢化纳米硅能隙展宽的物理机制是量子尺寸效应. |
| 关 键 词： | 氢化纳米硅 量子尺寸效应 a-Si∶H太阳电池 |
| 文章编号： | 1000-3290/2005/54(06)2945-05 |
| 修稿时间： | 2004年8月11日 |
NIP a-Si∶H solar cells on stanless steel with p-type nc-Si∶H window layer |
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| HU Zhi-Hua,Liao Xian-Bo,Diao Hong-Wei,XIA Chao-feng,ZENG Xiang-bo,Hao Hui-Ying,Kong Guang-Lin.NIP a-Si∶H solar cells on stanless steel with p-type nc-Si∶H window layer[J].Acta Physica Sinica,2005,54(6):2945-2949. | |
| Authors: | HU Zhi-Hua Liao Xian-Bo Diao Hong-Wei XIA Chao-feng ZENG Xiang-bo Hao Hui-Ying Kong Guang-Lin |
| Abstract: | |
| Keywords: | hydrogenated nanocrystalline silicon quantum size effect a-Si based solar cell |
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