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离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构
引用本文:李晓娜,聂冬,董闯;,马腾才,金星,张泽.离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构[J].物理学报,2002,51(1):115-124.
作者姓名:李晓娜  聂冬  董闯;  马腾才  金星  张泽
作者单位:(1)三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部 ,大连理工大学材料工程系 ,大连  1 1 60 2 4; (2)三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部,大连理工大学材料工程系,大连116024中国科学院北京电子显微镜实验室北京100080; (3)中国科学院北京电子显微镜实验室,北京100080
基金项目:国家自然科学基金 (批准号 :5 9872 0 0 7)资助的课题
摘    要:采用MEVVA源(MetalVaporVacuumArcIonSource)离子注入合成βFeSi2薄膜,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下βFeSi2薄膜的显微结构变化.研究结果表明:调整注入能量和剂量,可以得到厚度不同的βFeSi2表面层和埋入层.制备过程中生成的α,β,γ和CsCl型FeSi2相的相变顺序为γFeSi2→βFeSi2→αFeSi2,CsClFeSi2→βFeSi2→αFeSi2或βFeSi2→αFeSi2.当注入参数增加到60kV,4×1017ionscm2,就会导致非晶 关键词: β-FeSi2 半导体薄膜 金属硅化物 离子注入 透射电子显微镜

关 键 词:β-FeSi2  半导体薄膜  金属硅化物  离子注入  透射电子显微镜
收稿时间:2001-03-10
修稿时间:2001年3月10日

Microstructure of
Li Xiao-N,Nie Dong,Dong Chuang,Ma Teng-Cai,Jin Xing and Zhang Zhe.Microstructure of[J].Acta Physica Sinica,2002,51(1):115-124.
Authors:Li Xiao-N  Nie Dong  Dong Chuang  Ma Teng-Cai  Jin Xing and Zhang Zhe
Abstract:Iron silicidefilmshavebeensynthesizedbymetalvaporvacuumarc (MEVVA)ionimplantationofironinto (1 1 1 )and (1 0 0 )orientedsiliconwafers.Thestructureevolutionwascharacterizedusingtransmissionelectronmicroscopy (TEM)andhighresolutionelectronmicroscopy (HREM) .TheβFeSi2filmsandburiedlayerswithdifferentdepthandthicknesswereobtainedbyadjustingtheimplantationenergyanddose .Theformationofα,β,γandCsCl FeSi2 phaseshavebeenobserved .ThephasetransitionorderisγFeSi2→βFeSi2→αFeSi2,CsClFeSi2→βFeSi2→αFeSi2 or βFeSi2→αFeSi2.Anamorphouslayerwasformedat60kVand 4× 1 0 1 7ions cm2 ,thephasetransitionorderisamorphous→β FeSi2 →α FeSi2 .Themorphologyandpositionofthesilicidefilmschangewiththeannealingtemperature.Thesilicidegrainsgrowwithincreasingannealingtemperaturewithfurtherincreaseoftemperature ,thecontinuoussilicidelayersshrinkintoisolatedislandsandtheinterfaceβ FeSi2 Sibe comesrougher.Inthispaper,thecomplicatedorientationrelationshipsexistingbetweenβ FeSi2 andSiwerealsoinvestigated
Keywords:FeSi  2  ion implantation  TEM  semiconductor film  metallic silicide
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